Optimisation des propriétés physico-chimiques des chalcopyrites en vue de l’obtention d’un haut rendement thermoélectrique

Abstract

Les propriétés électroniques et thermoélectrique de BeSiPn2 , ZnSiPn2 et CdSiPn2 ( Pn = p , As), sont étudiées en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéaires ( FP LAPW). Les propriétés structurelles estimées sont en bon accord avec celles mesurées, les structures de bande calculées révèlent que notre composés sont des semi-conducteurs avec une bande interdite directe. De plus, les propriétés thermoélectriques calculées montrent des valeurs intéressantes de la valeur de mérite à haute températures à une concentration de 1.1019 cm-3 de trous (électrons) respectivement. Ces résultats confirment que nos matériaux peuvent etre des candidats prometteurs pour des applications thermoélectriques à haute température et leurs propriétés sont nettement améliorées lorsqu’ils sont dopés soit de type n et p.